この記事の要点: 京都大学発のスタートアップである株式会社FLOSFIAは、次世代パワー半導体材料として期待される酸化ガリウム（α-Ga₂O₃）において、6インチ（150mm）サファイア基板上へのエピタキシャル成膜に成功したと発表しました。膜厚の面内ばらつきは約±3%を達成しており、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の量産で主流となっている既存の6インチ製造ラインを活用した、早期の量産立ち上げが可能になります。
発表内容のポイント
- 6インチサファイア基板上で膜厚ばらつき約±3%の良好な成膜を達成
- 既存のSiCやGaN-LED向け6インチ量産ラインを活用でき、新規投資を抑制
- 3〜6インチの実績から、将来的な8インチ化でもばらつき±4%以下を見込む
発表の背景
パワー半導体業界では、製造コスト削減に向けてウェハの大口径化が進められています。新材料がデバイスメーカーに採用されるには、既存の量産設備に適合することが極めて重要です。FLOSFIAは独自の「ミストドライ法」を用いて低温・常圧での成膜技術開発を進めており、2025年12月に発表した4インチウェハ技術の実証に続き、今回さらなる大口径化に取り組みました。
何が発表されたのか
今回の成果では、独自のミストドライ法に改良を加えることで、6インチサファイア基板上へのα-Ga₂O₃エピタキシャル成膜を実現しました。初期実用化レベルの目標値である「面内ばらつき±4%以下」をクリアする約±3%を達成し、クラックや異物欠陥の少ない良好な膜が得られています。4インチウェハと比較して1枚あたりのチップ取得数は約2.2倍に向上し、デバイス前工程におけるチップ単価の低減に寄与します。また、基板にはLED産業向けに流通している安価なサファイア基板を使用するため、安定調達が可能です。
製造業・生産管理への見方
半導体製造やデバイス調達に携わる生産管理・製造技術者にとって、次世代パワー半導体の量産プロセスの確立は注目のテーマです。今回の技術は、既存のSiCやGaN-LEDメーカーが保有する6インチ前工程装置をそのまま活用できるため、莫大な新規設備投資を抑えながら生産ラインを構築できるメリットがあります。さらに、同社は2026年中に8インチ（200mm）基板での成膜実証を目指しており、これが実現すればシリコン系パワー半導体の主流ラインへの適合も見えてくるため、将来的な調達コストのさらなる低下や供給安定化が期待されます。
現場で確認したいポイント
- 既存の6インチ製造ラインを保有するパートナー企業との具体的な量産プロセスの構築状況
- 開発中のMOSFETなどのGaOパワーデバイスにおける性能実証の進捗と評価結果
- 2026年中に予定されている8インチサファイア基板上での成膜実証の成果
確認しておきたい点
本成果はエピタキシャル成膜技術の実証段階であり、実際のパワーデバイスとしての量産開始時期や、具体的な採用メーカー、製品の供給体制については現時点で明らかにされていません。
出典情報
| 出典 | PR TIMES |
|---|---|
| 発表企業 | 株式会社FLOSFIA |
| 発表日時 | 2026-10-13 12:59:42 |
| 元記事 | PR TIMESで読む |
