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東京理科大ら、新半導体「NbAlN」作製に成功 GaNデバイスの電子密度3倍超へ

東京理科大学などの研究グループが、遷移金属ニオブを含む極性ウルツ鉱型窒化物半導体「NbAlN」の作製に成功。GaN系ヘテロ構造の界面電子密度を3倍超に向上させました。