この記事の要点: 株式会社レゾナックは、次世代エレクトロニクス材料である炭化ケイ素（SiC）において、世界最大級となる直径300mm（12インチ）のSiC単結晶の成長および基板加工に成功したと発表しました。この成果は、パワー半導体や先端パッケージ基板などの領域における大口径化と高品質化に向けた重要な技術的マイルストーンであり、今後の市場拡大に対応する生産技術の確立を目指すものです。
発表内容のポイント
- 世界最大級となる直径300mm（12インチ）のSiC単結晶基板の加工に成功
- EVやデータセンター電源などで需要が拡大するパワー半導体の省エネ化に貢献
- NEDOのグリーンイノベーション基金事業を活用した研究開発の成果
発表の背景
電気自動車（EV）や再生可能エネルギー、データセンター向け電源の普及に伴い、電力変換時の損失や発熱が少ないSiCパワー半導体の需要が急増しています。レゾナックは現在、主流である150mm（6インチ）のSiCエピウェハーの供給に加え、200mm（8インチ）の出荷も開始していますが、さらなる生産効率の向上とコスト低減に向けて、基板の大口径化が求められていました。
何が発表されたのか
今回開発に成功した300mm SiC単結晶基板は、同社が長年培ってきた単結晶成長技術と基板加工技術、さらにNEDOのグリーンイノベーション基金事業である「次世代グリーンパワー半導体に用いるSiCウェハ技術開発」の成果を活用したものです。SiCは高い熱伝導率を持つため、パワー半導体だけでなく、AIサーバーやHPC向け半導体の放熱基板、先端パッケージ基板、さらにはARスマートグラスなど幅広い次世代デバイスへの応用が期待されています。
製造業・生産管理への見方
半導体製造において、ウェハーの大口径化は1枚のウェハーから採取できるチップ数を劇的に増加させ、製造コストの削減と生産性の向上に直結します。今回の300mm化の成功は、将来的なSiCパワー半導体の大量生産と低コスト化に向けた基盤技術となります。これにより、産業用インバータやEV向け駆動システムなど、電力制御を伴う製造業の各種設備や製品において、高性能なパワー半導体を安定して調達・活用できる環境の整備が進むと期待されます。
現場で確認したいポイント
- 300mm SiC基板およびエピウェハーの量産化に向けた具体的なスケジュール
- 既存の150mmや200mmラインから300mmラインへの移行に伴う設備投資の規模
- 大口径化に伴う結晶欠陥の抑制や品質の均一性がどの程度確保されているか
確認しておきたい点
本発表は300mm SiC単結晶基板の開発成功に関するものであり、実際の量産開始時期や具体的な供給体制、販売価格などの詳細については現時点で言及されていません。
関連リンク
- 関連ニュースリリース：300mm SiC単結晶基板の開発成功に関する詳細情報
- レゾナック コーポレートサイト：株式会社レゾナック・ホールディングスの公式サイト
- 発表企業のPR TIMESページ
出典情報
| 出典 | PR TIMES |
|---|---|
| 発表企業 | 株式会社レゾナック・ホールディングス |
| 発表日時 | 2026-09-15 11:30:02 |
| 元記事 | PR TIMESで読む |
