次世代パワー半導体の実装と熱対策を学ぶオンラインセミナー、7月29日に開催

発表内容のポイント

• xEV向けSiCパワー半導体のシステムソリューションと定量的な導入効果を解説
• AIサーバー電源におけるGaNデバイスの優位性と具体的な回路応用例を紹介
• パワーデバイスの熱対策に不可欠な高熱伝導樹脂材料（TIM）の開発事例を提示

発表の背景

脱炭素社会の実現やAIサーバーの急増に伴い、電力変換効率の向上と省エネルギー化が製造業界の大きな課題となっています。特にSiCやGaNといったワイドバンドギャップ（WBG）半導体は、従来のSi（シリコン）に代わる次世代素材として期待されています。しかし、これらのデバイスを社会実装するには、高熱伝導材料を用いた熱マネジメントや、大口径化・低コスト化を両立する高度なパッケージング技術の確立が不可欠となっています。

何が発表されたのか

セミナーは4部構成で実施されます。第1部ではインフィニオンによる車載SiCのシステム統合と損失評価、第2部ではロームによるGaNデバイスの構造とAIサーバー電源への応用を解説します。第3部では富士高分子工業がパワーデバイス向け高熱伝導樹脂材料（TIM）の選定や高耐熱シリコーンの開発事例を紹介。第4部では沖電気工業が、信越化学のQST基板とOKIのCFB技術を組み合わせた、縦型GaNパワーデバイスの量産・大口径化へのアプローチを説明します。

製造業・生産管理への見方

製造業の設計開発や生産技術において、次世代パワー半導体の採用は製品の競争力を左右する重要な要素です。本セミナーは、単なるデバイス単体の特性理解にとどまらず、実装時の課題となる「熱対策（放熱材料の選定）」や「異種材料の接合技術」など、生産現場や製品設計に直結する実用的なプロセス技術に焦点を当てています。これにより、車載機器や産業用電源などの開発において、信頼性の高いモジュール設計や製造プロセスの構築に役立つ知見を得ることができます。

現場で確認したいポイント

• 自社製品の電源設計においてSiCやGaNを採用する際の実装・冷却上の課題
• 高熱伝導樹脂材料（TIM）の選定基準と、250℃高耐熱などの最新材料の適用可能性
• 縦型GaNデバイスの社会実装に向けたQST×CFB技術による製造プロセスの実現性

確認しておきたい点

セミナーの受講には参加費60,500円（税込）が必要です。また、開催日は2026年7月29日（水）を予定していますが、プログラム内容やスケジュールは予告なく変更される場合があります。

関連リンク

• セミナー詳細ページ：セミナーのプログラム詳細と受講申し込み
• AndTech 公式サイト：主催企業の会社概要と提供サービス一覧
• 発表企業のPR TIMESページ

出典情報