この記事の要点: 株式会社日立ハイテクは、ドイツのZEISS SMT社との共同開発体制を強化し、半導体製造における次世代マルチビーム電子線検査装置の開発を加速すると発表しました。半導体デバイスの微細化やHigh-NA EUVの導入に伴い増加が懸念される微小欠陥を、従来の数十倍以上の速度で高速検査する製品の開発を目指します。両社の強みを融合し、先端半導体量産現場の歩留まり改善に貢献する計画です。
発表内容のポイント
- ZEISS社の91本マルチビーム技術と日立ハイテクの装置プラットフォームを統合
- 従来のシングルビーム装置と比較して数十倍以上の高速な電子線検査を実現
- AIを活用した検査アルゴリズムを搭載し、先端半導体の量産プロセスに対応
発表の背景
先端半導体デバイスの製造において、2nmノードやHigh-NA EUVの量産移行が進む中、従来の光学式検査装置では10nm前後の微小欠陥を安定して検出することが困難になっています。また、従来のシングルビーム電子線検査装置は検査速度に課題があり、量産ラインでの全数検査や広範囲な検査への適用が難しいという背景がありました。このため、感度と速度を両立できるマルチビーム技術の早期実用化が求められています。
何が発表されたのか
今回の開発体制強化により、日立ハイテクが培ってきた測長SEMの装置安定稼働技術、高精度ステージ、AI画像処理技術と、ZEISS社の高分解能・高感度マルチビームカラム技術の統合をさらに推進します。すでに試作機を用いたオンサイト評価が開始されており、光学検査では検出困難な微細欠陥を高速で検査できることが実証されています。今後は量産ウェーハを用いた検査実証を積極的に行い、早期の製品化とプロセス認定（POR）の獲得を目指します。
製造業・生産管理への見方
半導体製造および電子部品の生産管理において、歩留まりの早期改善と維持は極めて重要な課題です。特にデバイス構造の複雑化やストキャスティック欠陥の増加に対し、インラインで高速かつ高感度な検査を行えるシステムは、不良品の流出防止と製造プロセスの最適化に直結します。本装置は、光学検査では対応が難しい膜中（埋込）欠陥検査や電圧コントラスト（VC）検査にも活用可能とされており、次世代プロセスを導入する製造現場の立ち上げ期間短縮や生産性向上に寄与することが期待されます。
現場で確認したいポイント
- 自社の次世代半導体製造ラインにおける、微小欠陥検査の要求精度と処理速度の要件
- 既存の光学式検査装置やシングルビーム装置から、マルチビーム装置へ移行する際の実用性
- 量産ウェーハを用いたオンサイト評価や実証実験（POR獲得）への協力・参画の可能性
確認しておきたい点
本発表は共同開発体制の強化と開発加速に関するものであり、具体的な新型装置の発売時期や価格、詳細な仕様については言及されていません。今後の実証実験の進捗状況を注視する必要があります。
出典情報
| 出典 | PR TIMES |
|---|---|
| 発表企業 | 株式会社日立ハイテク |
| 発表日時 | 2026-09-30 13:11:31 |
| 元記事 | PR TIMESで読む |
