この記事の要点: 株式会社リードテックと株式会社Next Semiconductorは、GaN（窒化ガリウム）パワー半導体に対応したスイッチング評価装置「ダブルパルステスター」を共同開発しました。本装置は、デバイス単体ではなく、モジュールと駆動回路を組み合わせた状態でのスイッチング特性をダブルパルス法で評価・解析できるものです。2026年9月1日から開催される電気学会産業応用部門大会の企業展示にて実機が公開されます。
発表内容のポイント
- モジュールと駆動回路を組んだ状態でのスイッチング特性評価と波形解析に対応
- リードテックが装置設計・製造を担い、Next Semiconductorが要件定義や検証を担当
- 1号機は大分大学に設置され、今後は各メーカーや研究機関への提案を進める計画
発表の背景
パワー半導体の素材がシリコンからSiCやGaNへ移行しスイッチング速度が向上する中、回路内のインダクタンスやゲート駆動回路の設計が波形に与える影響が大きくなっています。特にEVや産業システムで求められる650V／300A級の高出力GaN領域では、デバイス単体ではなく、モジュールに実装し駆動回路と組み合わせた状態での挙動把握や評価が極めて難しく、開発現場における課題となっていました。
何が発表されたのか
今回共同開発された装置は、Next Semiconductorが研究開発の過程で実験室に構築してきた測定環境を製品化したものです。同社が高出力GaNの評価に必要な要件定義や評価条件の設計、実機検証を行い、リードテックがこれまでのSiCデバイス向けテスター開発実績を活かして測定装置の設計・製造・製品化を担当しました。リードテックは搬入や立ち上げ、メンテナンスのほか、ハンドラーと組み合わせた提案にも対応します。すでに1号機は大分大学に導入され、研究開発に活用されています。
製造業・生産管理への見方
次世代パワー半導体として期待される高出力GaNの採用を進める製造業やシステム開発企業にとって、実装状態での正確な性能評価は製品の信頼性確保に直結する重要なプロセスです。本装置の登場により、実際の使用環境に近いモジュールおよび駆動回路を組み込んだ状態でのスイッチング特性を測定・解析できるようになります。これにより、EV向け部品や産業用インバータなどの開発において、設計検証の効率化や開発期間の短縮に寄与することが期待されます。
現場で確認したいポイント
- 自社の開発・評価環境において、モジュール状態でのダブルパルス測定が課題になっていないか
- 評価対象とするGaNパワーデバイスの電圧・電流仕様が、本装置の測定範囲に適合しているか
- 量産工程や検査工程において、ハンドラーと組み合わせた自動測定の導入検討が必要か
確認しておきたい点
本装置の具体的な仕様や提供体制、価格などの詳細については、準備が整い次第あらためて案内される予定となっており、現時点では未公表です。
関連リンク
- Next Semiconductor 企業サイト：発表企業であるNext Semiconductorの公式サイトです。
- Next Semiconductor PR TIMESページ：同社のプレスリリース一覧が掲載されています。
出典情報
| 出典 | PR TIMES |
|---|---|
| 発表企業 | 株式会社Next Semiconductor |
| 発表日時 | 2026-09-01 15:43:35 |
| 元記事 | PR TIMESで読む |
