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米政府、ボッシュに最大2.25億ドル支援 SiC半導体の国内生産を強化
米国商務省は、ボッシュのカリフォルニア州ローズビル工場における炭化ケイ素(SiC)半導体生産ラインの構築に対し、CHIPS法に基づき最大2億2500万ドルの直接資金提供を行う合意に署名しました。
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米国商務省は、ボッシュのカリフォルニア州ローズビル工場における炭化ケイ素(SiC)半導体生産ラインの構築に対し、CHIPS法に基づき最大2億2500万ドルの直接資金提供を行う合意に署名しました。