この記事の要点: STマイクロエレクトロニクスは、強化されたガルバニック絶縁技術を備えたゲート・ドライバ「STGAP3S」ファミリに、最大駆動電流3Aの新しいシリーズを追加し、量産を開始しました。SiC MOSFET向けおよびIGBT向けが用意されており、充電ステーションやエネルギー貯蔵システム、産業用フォークリフト、各種駆動装置などの高効率化と回路設計の簡略化を支援します。
発表内容のポイント
- アクティブ・ミラー・クランプ回路の内蔵により、意図しないターンオンを防ぎ基板面積を削減
- 最大1200Vの高電圧レールに対応し、国際的な安全・絶縁認証に準拠した高い信頼性を確保
- 非飽和（DESAT）検出やサーマル・シャットダウンなどの豊富な保護・診断機能を搭載
発表の背景
産業機器や電力インフラの分野では、エネルギー効率の向上とシステムの小型化・低コスト化が強く求められています。特に高電圧を扱うパワー回路においては、安全性を担保する絶縁性能と、ノイズによる誤動作を防ぐ堅牢な設計が不可欠です。STマイクロエレクトロニクスは、こうした要求に応えるため、実績のある絶縁ゲート・ドライバファミリに、より低い駆動電流に適した低コストな3Aシリーズを追加しました。
何が発表されたのか
新製品の「STGAP3S3」シリーズは、クランプ用MOSFETを含むアクティブ・ミラー・クランプ回路をチップ内部に統合した点が特徴です。これにより、パワー・スイッチの誤動作による貫通電流を防ぎつつ、外付け部品を減らして基板面積を削減できます。また、最大9.6kVの過渡電圧から回路を保護するガルバニック絶縁性能と、最大200V/nsのコモン・モード過渡耐性を備えており、過酷な電気的環境下でも安定した動作を維持します。
製造業・生産管理への見方
工場内の自動化設備や搬送用フォークリフト、電源ユニットなどの開発・設計において、パワー半導体の制御回路をいかにシンプルかつ安全に構成するかは重要な課題です。本製品は、SiCやIGBTといった次世代パワーデバイスの駆動を最適化し、異常時の保護機能（DESAT検出や温度保護）を1チップに集約しているため、設計工数の削減と製品の信頼性向上に直結します。開発を支援するハーフブリッジ評価ボードも提供されており、実機検証への移行もスムーズに行えます。
現場で確認したいポイント
- 自社の産業用電源や駆動装置の設計において、3Aの駆動電流仕様が適合するか
- 既存の回路設計と比較して、部品点数の削減や基板の省スペース化がどの程度見込めるか
- 評価ボード「EVLSTGAP3S3S」などを活用した初期検証の計画
確認しておきたい点
本製品は1,000個購入時の参考単価が約1.93ドルとされていますが、実際の調達数量や取引条件による価格変動、および納期については、個別にメーカーや代理店への確認が必要です。
関連リンク
- 発表企業サイト：STマイクロエレクトロニクスの日本語公式ウェブサイトです。
- 発表企業のPR TIMESページ
出典情報
| 出典 | PR TIMES |
|---|---|
| 発表企業 | STマイクロエレクトロニクス |
| 発表日時 | 2026-08-05 17:00:01 |
| 元記事 | PR TIMESで読む |
