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中国の研究チーム、3D光チップの製造時間を数時間から数秒へ短縮する新技術を発表

中国の研究チームが、3D光チップの製造時間を劇的に短縮する並列製造プロセスを開発。従来のイオンビームによる個別加工から、ウェーハ一括処理への転換を実現しました。

生産現場のシステムNAVI編集部
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この記事の要点: 中国科学院(CAS)や香港大学などの共同研究チームは、次世代のAIハードウェアとして期待される3D光(フォトニック)チップの製造時間を、従来の数時間から数秒へと大幅に短縮する新しい製造手法を開発しました。この研究成果は学術誌「Advanced Materials」に掲載され、設計の複雑さと量産化(スケーラブル製造)の間にあった大きなギャップを埋める技術として注目を集めています。

ニュースのポイント

  • 集束イオンビーム(FIB)による個別加工から、広域イオンビームによる一括並列処理へ転換
  • 10センチ(4インチ)ウェーハ全体で、2Dパターンから3D構造への同時成形に成功
  • 従来のFIB手法と比較して、製造時間を100分の1以下に短縮し、角度均一性97%以上を達成

背景

AIモデルの急激な拡大に伴い、従来の電気配線に代わって光でデータを伝送するフォトニックチップの需要が高まっています。光技術は帯域幅の拡大と消費電力の削減を可能にしますが、複雑な3次元光構造の製造には極めて高い精度が求められます。これまでは集束イオンビーム(FIB)を用いてナノメートル単位で1つずつ構造を削り出す手法が主流でしたが、処理速度が非常に遅く、コストも高いため、研究室での試作段階に留まり量産化の大きな障壁となっていました。

何が起きたのか

研究チームは、個別加工を繰り返す代わりに、ウェーハ全体に広域イオンビームを照射する並列製造プロセスを開発しました。この手法は、あらかじめ設計された数千個の2次元ナノ構造を、折り紙のように一斉に3次元構造へと自己折り畳み(セルフフォールディング)させるものです。これにより、ナノスケールの精度を維持したまま、10センチウェーハ上での一括生産が可能になりました。チームはこのプラットフォームの実証として、中赤外線領域で強い光制御を示すメタ表面デバイスと、可視光領域で共鳴調整が可能なプラズモニック格子の2種類の光デバイスの作製に成功しています。

製造業・生産管理への見方

半導体や電子部品の製造現場において、試作から量産への移行(スケーラビリティの確保)は常に大きな課題です。今回の技術は、新聞の文字を1文字ずつ手書きするような個別加工から、ページ全体を一度に印刷するような一括処理への転換に例えられます。光インターコネクトやシリコンフォトニクス分野では、インテルやTSMC、NTTなどのグローバル企業・機関が投資を競っていますが、今回の並列製造プロセスが実用化されれば、次世代高速通信やAI向け半導体の製造ラインにおけるスループット向上とコスト削減に直結する可能性があります。

現場で確認したいポイント

  • 自社の半導体・電子部品製造において、個別加工(シリアル処理)がボトルネックになっている工程の有無
  • ナノメートル精度の3次元構造を量産ラインで均一に形成するための、自己組織化や一括成形技術の動向把握
  • 次世代光チップ(シリコンフォトニクス)の採用ロードマップと、自社製品・設備への影響評価

確認しておきたい点

本成果は研究機関による学術的な発表段階であり、実際の商業的な半導体ファブ(量産工場)の既存ラインへ導入する際の歩留まりや、長期的な信頼性評価についてはまだ検証段階にある点に留意する必要があります。

出典情報

出典 South China Morning Post
公開日時 2026-07-19T10:00:08+08:00
元記事 South China Morning Postで読む

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