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ローム、上面放熱の新パッケージSiC MOSFETを開発。自動実装と高放熱を両立

ロームは、自動実装が可能な面実装タイプでありながら、従来の挿入型と同等の放熱性能を持つSiC MOSFETの新パッケージを開発。車載や産業機器の電力変換回路向けに量産を開始しました。

生産現場のシステムNAVI編集部
ローム、上面放熱の新パッケージSiC MOSFETを開発。自動実装と高放熱を両立

この記事の要点: ローム株式会社は、高放熱と高耐圧を両立したSiC MOSFETの新パッケージ「TSC3PAK」を開発し、2026年6月より量産を開始しました。本製品は自動実装が可能な面実装タイプでありながら、放熱面をパッケージ上面に配置することで、従来の挿入型パッケージと同等レベルの放熱性能を実現。xEV(電動車)のオンボードチャージャーや産業機器の電源などにおける電力変換回路の高効率化に貢献します。

発表内容のポイント

  • 上面放熱構造により、面実装でありながら挿入型と同等の高い放熱性能を確保
  • 独自の溝設計で沿面距離6.66mmを達成し、高耐圧設計時の実装コストを削減
  • 第4世代SiC MOSFETの搭載により、低オン抵抗と高速スイッチングで損失を低減

発表の背景

xEVの普及や産業機器の高性能化に伴い、電力変換回路におけるSiCデバイスの採用が進んでいます。大電力動作時の発熱に対応するため、これまでは放熱性に優れた挿入型パッケージが主流でした。しかし、挿入型は手作業による実装工程が必要となるほか、形状の制約から機器の低背化が難しいという課題がありました。この課題を解決するため、自動実装に対応しつつ優れた放熱性能を維持できる面実装パッケージの需要が高まっていました。

何が発表されたのか

新開発の「TSC3PAK」パッケージは、サイズ14.00×18.58×3.50mmの面実装品です。パッケージに独自の溝を設けることで、業界最高クラスとなる6.66mmの沿面距離を確保しました。これにより、市場で普及しているパッケージとの互換性を保ちながら、汚染度2の環境下において1200VのACピーク電圧に対応します。高耐圧アプリケーションにおける安全な絶縁設計を容易にし、実装コストの削減と信頼性向上を同時に実現します。

製造業・生産管理への見方

製造現場や生産管理の観点において、電子基板の実装工程の自動化は生産性向上に直結する重要な要素です。従来の挿入型パッケージで必要だった手作業による実装工程を、本製品の導入によって自動実装(面実装)へと置き換えることが可能になります。これにより、製造ラインの省人化や組み立て工数の削減、品質の安定化が期待できます。また、シミュレーションモデルが公式Webサイトで提供されているため、開発初期段階における回路検討や設計検証を迅速化し、製品の立ち上げ期間短縮にも寄与します。

現場で確認したいポイント

  • 既存の製造ラインにおける面実装設備で、新パッケージのサイズや形状に対応可能か
  • 自社の高耐圧アプリケーション設計において、沿面距離6.66mmによる絶縁設計の簡素化効果
  • 公式Webサイトで提供されているシミュレーションモデルを用いた、事前の動作検証手順

確認しておきたい点

本製品は2026年6月より量産およびインターネット販売が開始されていますが、自社の生産計画や調達ルートにおけるサンプルおよび量産品のリードタイムについては、個別での確認が必要です。

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出典情報

出典 PR TIMES
発表企業 ローム株式会社
発表日時 2026-07-09 10:00:02
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