この記事の要点: パワー半導体用ウェハの開発を手掛ける株式会社UJ-Crystalは、SBIインベストメント株式会社などを引受先とする第三者割当増資を実施し、総額4.3億円の資金調達を完了した。同社は名古屋大学発のベンチャー企業であり、今回調達した資金を用いて、現在開発を進めている溶液成長法による「超高耐圧p型SiC（炭化ケイ素）半導体基板用ウェハ」の開発および社会実装を加速させる計画だ。
発表内容のポイント
- 第三者割当増資により総額4.3億円を調達、年内に追加調達も検討中
- 従来の昇華法では困難だった高品質なp型SiC基板を溶液成長法で実現へ
- AIデジタルツインによるシミュレーション技術を活用し開発プロセスを高速化
発表の背景
AIやデータセンターの急速な普及に伴い、世界的に電力需要が急増している。一方で、再生可能エネルギー由来の電力を効率よく送電できないというインフラ上の課題が存在する。この解決には、長距離・大容量の直流送電システム（HVDC）や電力網を安定化させる装置（STATCOM）といった次世代パワーシステムへの移行が必要であり、これらに対応できる大電力用の超高耐圧パワー半導体の実現が強く求められていた。
何が発表されたのか
大電力用パワー半導体の実用化において、高品質なp型SiC基板用ウェハの製造は技術的な難所となっていた。従来の主流である「昇華法」では、p型SiCのドーピング制御と高品質化を両立させることが困難だったためである。UJ-Crystalは、名古屋大学・宇治原研究室のシーズ技術をベースに、AIデジタルツインを用いたシミュレーション技術と「溶液成長法」を組み合わせることで、この課題の克服に挑んでいる。本開発はNEDOのグリーンイノベーション基金の支援を受け、複数の企業や研究機関との共同研究体制で進められている。
製造業・生産管理への見方
製造業や産業用機器の分野において、省電力化と高効率なエネルギー制御はDXやカーボンニュートラル達成に向けた最重要課題の一つである。特に高電圧・大電流を扱う産業設備や電力インフラ向けに、超高耐圧かつ低損失なSiCパワー半導体が安定供給されれば、インバータや変圧器などの関連機器の小型化・高性能化に直結する。溶液成長法という新たなアプローチによる国産ウェハの量産化技術が確立されれば、次世代パワーデバイスのサプライチェーン強化や、国内の半導体製造エコシステムにおける競争力向上に寄与することが期待される。
現場で確認したいポイント
- 溶液成長法によるSiCウェハの結晶品質や、欠陥密度の低減レベルがどの水準に達しているか
- 共同研究パートナー企業との連携による、ウェハからデバイス製造に至る量産プロセスの進捗状況
- 超高耐圧p型SiCウェハのサンプル出荷時期や、具体的な提供開始ロードマップ
確認しておきたい点
溶液成長法による超高耐圧p型SiCウェハは世界初の社会実装を目指す段階であり、具体的な量産開始時期や製造コスト、歩留まりなどの詳細な数値目標については本リリース内では明らかにされていません。
関連リンク
- 発表企業サイト：株式会社UJ-Crystalの公式ウェブサイトです。
- 発表企業のPR TIMESページ：UJ-Crystalのプレスリリース一覧です。
出典情報
| 出典 | PR TIMES |
|---|---|
| 発表企業 | 株式会社UJ−Crystal |
| 発表日時 | 2026-07-31 15:00:02 |
| 元記事 | PR TIMESで読む |
